Цели и задачи направления:

Цели и задачи: выращивание особочистых и легированных монокристаллов алмаза, исследования электрических, оптоэлектронных и акустоэлектронных свойств новых сверхтвердых, углеродных, композиционных материалов, разработка и изготовление различных видов сенсоров и активных устройств электроники, опто- и акустоэлектроники на их основе.

Выращивание алмазов и алмазных пленок методом газофазного осаждения.

Приборы:

Осаждение поликристаллических и эпитаксиальных монокристаллических алмазных пленок. Толщины отделенных поликристаллических пленок от 15 до 500 мкм. Толщины эпитаксиальных монокристаллических пленок от нескольких микрометров до нескольких миллиметров. Уровень примесей в сверхчистых монокристаллических пленках менее 1 ppb. Эпитаксиальные монокристаллические пленки допированные бором и азотом. Быстрый рост толстых эпитаксиальных монокристаллических пленок в рабочей атмосфере с добавлением азота - скорости роста до 60 мкм/час.

Начальный вакуум: 10^-7 мбар.

Микроволновый генератор: 6 кВт, 2.45 ГГц.

Температура подложки: 500 – 1300 °С.

Размеры подложки: диаметром до 50 мм.

Рабочее давление: до 250 мбар.

Количество высокочистых газовых линий: 7.